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用于IGBT模塊的活性金屬釬焊（AMB）陶瓷基板
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| 發(fā)布時間：
2023/3/15 16:43:00 |
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電 話： |
86-0595-88162686 |
| 傳 真： |
86-0595-88162687 |
| 手 機： |
13808556883 |
| 郵 編： |
362200 |
| 地 址： |
福建省泉州市晉江市經濟開發(fā)區(qū)五里園區(qū)靈石路2號 |
| 網(wǎng) 址： |
http://hq0595.cn.vooec.com |
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| 公司名稱：福建華清電子材料科技有限公司 |
| 聯(lián) 系 人：楊大勝 先生 副總經理 |
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用于IGBT模塊的活性金屬釬焊（AMB）陶瓷基板 詳細說明 |
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厚度:1.5-10mm，其他厚度提供圖紙可定制導熱系數(shù):170W/米·K介電常數(shù):8-9(兆赫)表面粗糙度:雙面 Ra < 0.6 μm材質:金屬化陶瓷基板品牌/廠家:其他材質類型:氮化硅陶瓷產品名稱:用于IGBT模塊的活性金屬釬焊（AMB）陶瓷基板牌號:福建華清功能:高鐵大功率器件控制模塊對IGBT模塊封裝用途:隨著電力電子技術的快速發(fā)展，高鐵大功率器件控制模塊對IGBT模塊封裝的關鍵材料——陶瓷覆銅板形成了巨大的需求，尤其是AMB基板逐漸成為主流應用外觀:金屬化產地:福建晉江密度:3.3 克/立方厘米硬度:400兆帕熔點:1900℃燒結溫度:1800℃適用溫度:1000℃-1800℃熱膨脹系數(shù):10-6 /℃介電強度:8MHz-10MHz抗彎性能:≥450MPa體積電阻率:20℃，Ω .cm相對介電常數(shù):1MHz規(guī)格尺寸:φ45mm等，其他尺寸提供圖紙可定制
氮化鋁優(yōu)良絕緣，高頻損耗小，耐熱，熱膨脹系數(shù)小，機械強度大，熱傳導好，耐化學腐蝕，穩(wěn)定，熱導率高，光傳輸特性好，電性能優(yōu)良，機械性能好，尺寸大小及厚度可根據(jù)顧客要求定制。公司已經擁有一整套從日本、美國等國進口的、配備完善的電子陶瓷生產設備和檢測儀器，是一家規(guī)模化、采用流延法生產氮化鋁陶瓷基板的企業(yè)，主導產品是氮化鋁陶瓷基板及其相關電子元器件。與國外同行企業(yè)相比較，在氮化鋁陶瓷基板流延漿料配制、低溫燒結等方面，公司自有的氮化鋁陶瓷流延法生產技術與工藝，所生產的氮化鋁陶瓷基板具有高的熱導率、較低的介電常數(shù)和介質損耗、優(yōu)良的力學性能，可廣泛應用于電子信息、電力電子等高技術領域。開發(fā)了一種將氮化鋁 (AlN) 直接晶圓鍵合到鍍有 AlN 的晶圓的方法。晶圓直接鍵合需要光滑、平坦、親水的表面，這些表面能夠被適當帶電的氫分子表面處理。華清可以提供非常光滑（Ra≤0.03um）和平坦表面的AlN襯底。我們的氮化鋁基板 (AlN) 有各種尺寸和厚度可供選擇�；钚越饘兮F焊（AMB）工藝是直接鍵合銅（DBC）工藝技術的進一步發(fā)展。它是利用釬料中所含的少量活性元素與陶瓷反應生成可被液體釬料潤濕的反應層，從而將陶瓷與金屬連接起來的一種方法。目前，隨著電力電子技術的快速發(fā)展，高鐵大功率器件控制模塊對IGBT模塊封裝的關鍵材料——陶瓷覆銅板形成了巨大的需求，尤其是AMB基板逐漸成為主流應用。得益于大量的實時庫存，我們可以快速運送您的零件，以便您開始您的項目。請聯(lián)系我們定制。我們還可以提供導熱系數(shù)高達 230W/mK 的氮化鋁 (AlN) 陶瓷。
本產品網(wǎng)址：http://m.zgyywsbw.com/cpshow_224450012/
手機版網(wǎng)址：http://m.vooec.com/product_224450012.html
產品名稱：用于IGBT模塊的活性金屬釬焊（AMB）陶瓷基板 |
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