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瀾智 ZD25WQ16BUIGR 貼片USON-8 NOR FLASH
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| 發(fā)布時(shí)間：
2024/8/20 10:35:00 |
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電 話： |
86-0755-83237158 |
| 傳 真： |
86-- |
| 手 機(jī)： |
13421849158 |
| 郵 編： |
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| 地 址： |
華強(qiáng)北深紡大廈B1508 |
| 網(wǎng) 址： |
http://cmx91.cn.vooec.com |
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| 公司名稱：深圳市物微電子有限公司 |
| 聯(lián) 系 人：陳妙霞 女士 |
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瀾智 ZD25WQ16BUIGR 貼片USON-8 NOR FLASH 詳細(xì)說明 |
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ZD25WQ16B是一款串行接口閃存器件，設(shè)計(jì)用于各種大批量基于消費(fèi)者的應(yīng)用，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式外部RAM中執(zhí)行。
該設(shè)備靈活的擦除架構(gòu)，其頁面擦除粒度，也是理想的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，消除了額外的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的需要。設(shè)備的擦除塊大小已經(jīng)過優(yōu)化，以滿足當(dāng)今代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用程序的需求。
通過優(yōu)化擦除塊的大小，可以更有效地使用內(nèi)存空間。由于某些代碼模塊和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)段必須單獨(dú)駐留在它們自己的擦除區(qū)域中，因此可以大大減少大扇區(qū)和大塊擦除閃存設(shè)備所浪費(fèi)和未使用的內(nèi)存空間。
這種增加的內(nèi)存空間效率允許添加額外的代碼例程和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)段，同時(shí)仍然保持相同的整體設(shè)備密度。該設(shè)備還包含一個(gè)額外的3*512字節(jié)安全寄存器，具有OTP鎖(一次性可編程)，
可用于諸如唯一設(shè)備序列化，系統(tǒng)級電子序列號(ESN)存儲(chǔ)，鎖定密鑰存儲(chǔ)等目的。該器件專為許多不同系統(tǒng)設(shè)計(jì)，支持讀取，編程和擦除操作，電源電壓范圍為1.65V至3.6V。編程和擦除不需要單獨(dú)的電壓..
本產(chǎn)品網(wǎng)址：http://m.zgyywsbw.com/cpshow_224479733/
手機(jī)版網(wǎng)址：http://m.vooec.com/product_224479733.html
產(chǎn)品名稱：瀾智 ZD25WQ16BUIGR 貼片USON-8 NOR FLASH |
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