|
您現(xiàn)在的位置: 深圳市立聯(lián)微電子有限公司 > 供應(yīng)信息> 晶源微CSC7261M PD18W |
|
|
|
發(fā)布時(shí)間: |
2024/12/9 17:12:00 |
|
|
|
晶源微CSC7261M PD18W 詳細(xì)說明 |
|
|
產(chǎn)品概述 CSC7261M是一款內(nèi)置高壓MOS的高性能、 多工作模式的PWM控制芯片,內(nèi)置多種保護(hù)機(jī) 制。當(dāng)系統(tǒng)為空載和輕載時(shí),芯片采用Burst和 Green控制模式可有效地減少了空載和輕載時(shí)的 損耗。當(dāng)系統(tǒng)為中載和重載時(shí),芯片采用CCM 模式可有效提升電源系統(tǒng)的工作效率。 CSC7261M具有較小的啟動(dòng)和工作電流,并 且內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)模塊,在實(shí)現(xiàn)快速開機(jī)的同時(shí), 可實(shí)現(xiàn)更低的待機(jī)功耗。 CSC7261M內(nèi)置多種保護(hù)和自恢復(fù)功能,具 有高穩(wěn)定性和可靠性。同時(shí),芯片內(nèi)置抖頻功能, 具有良好的EMI性能。 電路采用SOP8封裝。 主要特點(diǎn)  內(nèi)置>650V 的功率 MOSFET  內(nèi)置高壓快速啟動(dòng)模塊,實(shí)現(xiàn)待機(jī)功耗 <75mW  多種工作模式 Burst 模式@空載 Green 模式@輕載 CCM 模式@重載  內(nèi)置抖頻模塊,具有良好 EMI 特性  內(nèi)置軟啟動(dòng)模塊,有效抑制開機(jī)時(shí) MOSFET 開關(guān)應(yīng)力  固定 65KHz 工作頻率  多重保護(hù)模塊 VDD 欠壓保護(hù) VDD 過壓保護(hù) 過流保護(hù) 過溫保護(hù) 典型應(yīng)用  18W 以內(nèi)快充、電源適配器等 本產(chǎn)品網(wǎng)址:http://m.zgyywsbw.com/sjshow_507808060/ 手機(jī)版網(wǎng)址:http://m.vooec.com/trade_507808060.html 產(chǎn)品名稱:晶源微CSC7261M PD18W |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
電 話: |
86-0755-12345678 |
傳 真: |
86-0755-12345678 |
手 機(jī): |
17607558407 |
地 址: |
深圳市寶安區(qū)新橋街道上星社區(qū)廣深路新橋段35號(hào)唐商大廈B1813A |
網(wǎng) 址: |
http://chen17607558407.cn.vooec.com |
郵 編: |
518000 |
|
|
|
|
|
|
|