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SiC GaN三代半功率器件參數(shù)分析儀

普通會(huì)員 信息未核實(shí) 會(huì)員編號(hào):10481259  
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發(fā)布時(shí)間: 2024/12/12 13:41:00
SiC GaN三代半功率器件參數(shù)分析儀 詳細(xì)說(shuō)明
  PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),是普賽斯儀表經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì)與打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng)。該系統(tǒng)不僅具備IV、CV、跨導(dǎo)等多元化的測(cè)試功能,還擁有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)以及便捷的升級(jí)擴(kuò)展等顯著優(yōu)勢(shì)。它能夠全面滿(mǎn)足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試需求,確保測(cè)量效率、一致性與可靠性的卓越表現(xiàn)。
此外,普賽斯儀表功率半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試解決方案還支持交互式手動(dòng)操作或結(jié)合探針臺(tái)的自動(dòng)操作,能夠在整個(gè)表征過(guò)程中實(shí)現(xiàn)高效和可重復(fù)的器件表征。同時(shí),該方案還可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用,滿(mǎn)足高低溫測(cè)試需求。從pA級(jí)、mV級(jí)高精度源表到kA級(jí)、10kV源表,普賽斯的產(chǎn)品解決了國(guó)內(nèi)企業(yè)在半導(dǎo)體芯片以及第三代半導(dǎo)體芯片測(cè)試中的儀表國(guó)產(chǎn)化問(wèn)題,并在客戶(hù)IGBT產(chǎn)線上推出了多條測(cè)試示范線,引領(lǐng)了國(guó)內(nèi)IGBT測(cè)試的技術(shù)潮流。詳詢(xún)18140663476

“雙高”系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)


高電壓、大電流


具有高電壓測(cè)量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(蕞大可擴(kuò)展至10kV)


具有大電流測(cè)量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))


高精度測(cè)量


nA級(jí)漏電流, μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻


0.1%精度測(cè)量


模塊化配置


可根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要靈活配置多種測(cè)量單元系統(tǒng)預(yù)留升級(jí)空間,后期可添加或升級(jí)測(cè)量單元


測(cè)試效率高


內(nèi)置專(zhuān)用開(kāi)關(guān)矩陣,根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目自動(dòng)切換電路與測(cè)量單元


支持國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測(cè)試


擴(kuò)展性好


支持常溫及高溫測(cè)試可靈活定制各種夾具



測(cè)試項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等

普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體,支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下nA級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸出,全系列產(chǎn)品豐富,詳詢(xún)一八一四零六六三四七六;

本產(chǎn)品網(wǎng)址:http://m.zgyywsbw.com/sjshow_507810677/
手機(jī)版網(wǎng)址:http://m.vooec.com/trade_507810677.html
產(chǎn)品名稱(chēng):SiC GaN三代半功率器件參數(shù)分析儀
 
·聯(lián)系方式
武漢普賽斯儀表有限公司 “未認(rèn)證”表示未核實(shí)營(yíng)業(yè)執(zhí)照
陶女士 女士 市場(chǎng)專(zhuān)員
 
  電  話: 86-027-87993690
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